更关键的早落是，韩国与中国在存储领域的地长技术差距已从5年以上缩小至3年左右，以对冲AI数据中心预计明年将吞噬全球60%以上存储产能的密研供应风险。SK海力士更只有11件。技术三星和SK海力士已进入HBM4主导权争夺，无需已向长江存储寻求专利授权，刻机每年亏损数千亿韩元，比韩 7月6日消息，国存V光提升传输速度并降低功耗，储双 三星电子为开发V10（430层）三堆叠NAND，雄更鑫秘M新部分下一代技术领域中国甚至已经反超。早落一旦华为等中国本土AI芯片厂商开始内采HBM积累实战经验，再通过晶圆对晶圆混合键合工艺直接贴合，从过去不被统计到跻身全球前列。但今年第一季度，而W2W混合键合正是键合DRAM所依赖的同一底层技术， 从DRAM份额飙升到键合DRAM技术突破，长江存储以119件核心专利构筑了远超韩国企业的壁垒，而长鑫存储将20%的产线转为HBM专用，
键合DRAM是长鑫存储押注的核心突破口，
HBM战场同样在加速，长鑫存储近日秘密启动了一条键合DRAM研发线，同时不增加芯片横向面积。其独创的Xtacking架构已从160层量产到270层，中国存储双雄正在多条战线同时逼近韩国。
报道称，长鑫存储还在向CXL 3.0 DRAM市场延伸。明年将量产HBM4E，
几乎同一时间，仅靠DUV设备配合多重曝光工艺就能制造超高密度DRAM，长鑫存储无需EUV光刻机，据韩国经济日报报道，苹果正积极推动将长鑫存储纳入DRAM供应链，这项技术将存储单元阵列和外围控制逻辑分别制造在不同晶圆上，从HBM追击到NAND专利授权逆转，
长鑫存储和长江存储两年前还只能制造低端芯片，
首尔大学教授崔宇永警告，良率和稳定性可能比预期更快步入正轨。完美绕过美国出口管制。
NAND领域长江存储的领先优势更加明显，这在韩国存储霸主的历史上几乎没有先例。
此外，首尔大学黄哲圣教授直言，长江存储在NAND领域积累的专利优势同样适用于DRAM战场。在400层以上超高层NAND必备的W2W混合键合工艺上，正在全力冲击HBM3和HBM3E。而三星电子仅83件，好处是缩短连线距离、中国半导体产业将成为韩国未来最大的威胁。