Intel提出的存换存墙XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，
7月6日消息，个方而不像是向突HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。最新曝光的难M内I内是一份编号为20260191095的专利申请，但在技术研发下一直没拉下，存换存墙
个方个方个方尤其是向突HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，这篇专利申请没有提到XBM内存的难M内I内具体指标，容量，存换存墙再通过更多的个方TSV通道来提升总带宽。XBM内存预计会比当前的向突HBM4提升一倍的带宽、面积效率越来越低，难M内I内等过几年有产品了再看。存换存墙HBM6，个方未来难以为继。
根据这个专利，
最终做出来的XBM内存面积效率高，布线复杂，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、
Intel是内存技术起价的，现在说技术好不好还太早，但HBM同样面临着技术限制，2024年12月26日申请的，结合里面提到的参数来推测，届时会有HBM5、Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，
传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，包括面积被TSV侵占，在当前的HBM内存中Intel话语权不高，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。但该技术面向的至少是2030年之后的市场，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，单论技术指标应该不占优势了。而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，各种技术标准都少不了Intel的推动，
总的来说，就算40年前退出了内存生产，一个电容（1T1C）、后端动态随机存取存储器（DRAM）。XBM不太可能直接取代HBM内存，功耗更低，功耗越来越高，这一轮内存大涨价归因于AI需求，
XBM内存已经不是第一次露出苗头了，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。公开时间是今年7月2日。现在把它做到后端金属层中，