散热问题也有了更简单的力士替代方案。可从堆叠内部带走热量。急刹不过混合键合的用不也悬研发并未停滞。
混合键合技术直接连接DRAM芯片间的混合键合凉K海铜线，两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。力士无需使用凸点，急刹三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，用不也悬HBM4已放宽至775微米。混合键合凉K海在封装内部加入独立热柱，力士这进一步延缓了混合键合的急刹规模化部署。即使到HBM4E阶段，用不也悬
目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的混合键合凉K海问题。称可较现有产品降低超过30%热阻。力士
急刹急刹短期内混合键合不会大规模部署，当前HBM4的I/O数量已翻倍至2048个。但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是发展方向。将电绝缘、现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，SK海力士则推出iHBM技术，厚度标准松动后，混合键合的无凸点减薄优势不再紧迫。
而HBM3E标准厚度为720微米，然而，有助于减小HBM厚度并改善散热。行业分析师指出，12层产品仍极有可能被用作主流产品。届时必须采用混合键合以实现更高密度连接。
16层以上高堆叠产品的需求并不紧迫，即使到HBM5也可能暂不采用。
混合键合技术在下一代HBM上的全面应用可能比预期进一步延迟。JEDEC正在讨论将HBM5的厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。两家公司正重新评估采用混合键合的时机，导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的挑战。 7月6日消息， 若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个， 业内判断，据报道，