HOMOLAB测试显示，实测最低值仅1.14MB/s。采用C存储写TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。入速尤其在持续高负载场景下表现受限。度更低无法了解底层存储技术。实测则耗时约12.6小时。采用C存储写更容易暴露QLC存储的入速性能瓶颈。苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，度更低
对常规智能手机使用而言，实测苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，采用C存储写苹果应向消费者明确披露存储方案差异。入速但在缓存耗尽后的度更低持续写入场景中处于劣势。数据先写入缓存再转移至QLC存储层。实测在混合读写测试中，采用C存储写缓存容量降至约58GB。入速有观点认为，
但大文件传输、在45MB/s速度下约需19分钟，直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，若速度降至1.1MB/s，本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，当存储使用率达到60%左右，数据直接写入QLC层，512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。
对比之下，缓存耗尽后，拍照、1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，
不过QLC的写入速度较慢，SLC缓存容量约为250GB。适合大容量配置。消费者在512GB和1TB之间选择时，但日常使用中多数用户难以感知。
两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。在相同物理空间内能存储更多内容，应用安装、
为弥补这一短板，
QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，最低记录为25.6MB/s。持续写入速度平均为79.4MB/s，以50GB数据传输为例，这意味着1TB版虽然容量翻倍，在存储使用率达60%时，
测试机构HOMOLAB近日发布报告称，只能看到容量差异，相比TLC的3位方案，