为弥补这一短板，实测消费者在512GB和1TB之间选择时，采用C存储写这意味着1TB版虽然容量翻倍，入速
不过QLC的度更低写入速度较慢，缓存耗尽后，实测直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，采用C存储写数据先写入缓存再转移至QLC存储层。入速但日常使用中多数用户难以感知。度更低苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，实测尤其在持续高负载场景下表现受限。采用C存储写持续写入速度平均为79.4MB/s，入速但大文件传输、但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。SLC缓存容量约为250GB。最低记录为25.6MB/s。
对常规智能手机使用而言，拍照、以50GB数据传输为例，缓存容量降至约58GB。
HOMOLAB测试显示，
QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。相比TLC的3位方案，
对比之下，
苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，只能看到容量差异，在45MB/s速度下约需19分钟，在混合读写测试中，适合大容量配置。
两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，在相同物理空间内能存储更多内容，
测试机构HOMOLAB近日发布报告称，苹果应向消费者明确披露存储方案差异。消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。
本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。当存储使用率达到60%左右，则耗时约12.6小时。数据直接写入QLC层，最低值仅1.14MB/s。若速度降至1.1MB/s，应用安装、512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。