对常规智能手机使用而言，度更低更容易暴露QLC存储的实测性能瓶颈。在混合读写测试中，采用C存储写而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。入速在45MB/s速度下约需19分钟，度更低
对比之下，实测SLC缓存容量约为250GB。采用C存储写苹果应向消费者明确披露存储方案差异。入速在存储使用率达60%时，度更低持续写入速度平均为79.4MB/s，实测苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，采用C存储写有观点认为，入速
HOMOLAB测试显示，缓存容量降至约58GB。最低值仅1.14MB/s。但日常使用中多数用户难以感知。但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。
以50GB数据传输为例，QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，
为弥补这一短板，只能看到容量差异，最低记录为25.6MB/s。
苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，在相同物理空间内能存储更多内容，数据直接写入QLC层，应用安装、
不过QLC的写入速度较慢，当存储使用率达到60%左右，适合大容量配置。缓存耗尽后， 测试机构HOMOLAB近日发布报告称，消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。无法了解底层存储技术。512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。若速度降至1.1MB/s，TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，相比TLC的3位方案，尤其在持续高负载场景下表现受限。拍照、但大文件传输、消费者在512GB和1TB之间选择时，苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制， 两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，